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				Siemens Semiconductor Group Infineon SIEMENS AG
Part No.	Q62702-P128 SFH205 SFH206 SFH206F Q62702-P102
OCR Text	...et fur Anwendungen bei 950 nm q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Features q Especially suitable for applications of 950 nm q...
Description	Silver Mica Capacitor; Capacitance:50pF; Capacitance Tolerance: 5%; Series:MIN; Voltage Rating:300VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Package/Case:Surface Mount (SMD, SMT); Termination:SMD; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Silizium Fotodiode麻省理工Tageslichtsperrfilter硅的PIN光电二极管与日光过滤
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				Siemens Semiconductor G... SIEMENS[Siemens Semiconductor Group] SIEMENS AG
Part No.	SFH213FA SFH213 Q62702-P1671 Q62702-P930
OCR Text	...) und bei 880 nm (SFH 213 FA) q kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" q Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Features q...
Description	Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time PIN PHOTO DIODE Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time 神经：Silizium Fotodiode麻省理工sehr库泽Schaltzeit新：硅PIN光电二极管的开关时间非常短
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				Infineon Technologies A... INFINEON[Infineon Technologies AG]
Part No.	SFH4301 Q62702-P5166
OCR Text	...er Gesamtstrahlungsflu e * Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) * Sehr hohe Langzeitstabilitat * Hohe Zuverlassigkeit Anwendungen * Schnelle Datenubertragung mit Ubertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) * Analoge und d...
Description	High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package
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				Siemens Semiconductor G... SIEMENS[Siemens Semiconductor Group] SIEMENS AG
Part No.	BPW34FA BPW34FAS Q62702-P463 Q62702-P1129 Q62702-P1829
OCR Text	...bereich von 830 nm bis 880 nm q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q BPW 34 FAS/(E9087): geeignet fur Vapor-Phase Loten und IR-Reflow Loten Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und 1.8 1.4...
Description	Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter From old datasheet system Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silizium Fotodiode麻省理工Tageslichtsperrfilter
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				SIEMENS AG SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
Part No.	KOM2057L Q62702-K8
OCR Text	...ereich von 400 nm bis 1100 nm q kurze Schaltzeit (typ. 14 ns) q DIL-Plastikbauform Anwendungen q q q q q 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 14 ns) q DIL plastic package Applications q q q q q Nachlaufsteuerungen Kant...
Description	3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 3fach - Silizium - Fotodiodenzeile 3片硅光电二极管阵
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				SIEMENS AG SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
Part No.	KOM2100B KOM2100BF Q62702-K35 Q62702-K34
OCR Text	...B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF) kurze Schaltzeit (typ. 13 ns) Kathode = Chipunterseite Geeignet fur Diodenbetrieb (mit Vorspannung) und Elementbetrieb SMT-fahig q q q q 400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of 880 nm (KOM 2100 BF) Short ...
Description	6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
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