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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Part No. |
Q62702-P54 BPX60
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| OCR Text |
...erkmale q Speziell geeignet fur anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Hohe Fotoempfindlichkeit q Hermetisch dichte Metallbauform (ahnlich TO-5) anwendungen q Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronic... |
| Description |
Silizium-Fotodiode mit erhohter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive
From old datasheet system
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Infineon
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| Part No. |
SFH5400
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| OCR Text |
...ntliche Merkmale q Geeignet fur anwendungen im Bereich von 500 nm bis 900 nm q Fotodiode mit integriertem Schmitt-Trigger q SMT-Bauform q TTL- und CMOS-kompatibel q Ausgang: push-pull anwendungen q Optischer Schalter q Lichtschranken q Puls... |
| Description |
Logic Gate Detector Vorlfige Daten / Preliminary Data
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Part No. |
Q62702-P928 BPX90F BPX90 Q62702-P47
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| OCR Text |
...erkmale q Speziell geeignet fur anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90) und bei 950 nm (BPX 90 F) q Hohe Fotoempfindlichkeit q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte anwendungen
q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/R... |
| Description |
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode Silizium - Fotodiode硅光电二极管
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode PHOTO DIODE
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