| PART |
Description |
Maker |
| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
|
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| SFH460 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4110 Q62702P5072 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker)
|
OSRAM GmbH
|
| Q65111A0128 SFH4250S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| Q65110A2465 SFH4250 SFH425012 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4557 Q65111A1142 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4205 |
(SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode
|
Infineon Technologies
|
| OED-ELR2444 |
2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
|
Lumex, Inc.
|
| QEB363.YR |
1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
|
QT OPTOELECTRONICS
|
