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Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter
Vorlaufige Daten / Preliminary Data
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
SFH 4290 SFH 4295
3.4 3.0
2.4
1.1 0.5
3.7 3.3
0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g
0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
GPL06724
SFH 4290
(2.4)
2.8 2.4
4.2 3.8
0.7
Cathode/ Collector
2.54 spacing
1.1 0.9 Anode/ Emitter
(2.85)
GPL06880
(2.9)
(R1)
SFH 4295
4.2 3.8
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsflu e q Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) q Geringe Vorwartsspannung und Leistungsaufnahme q Sehr hohe Langzeitstabilitat
3.8 3.4
Features q High pulse power and high radiant flux e q Very short switching times (10 ns) q Low forward voltage and power dissipation q Very high long-time stability
Semiconductor Group
1
1998-08-25
fpl06867
Collector/Cathode marking
fpl06724
SFH 4290 SFH 4295
i
Anwendungen q Schnelle Datenubertragung mit Ubertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) q Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalubertragung q Batteriebetriebene Gerate (geringe Stromaufnahme) q Anwendungen mit hohen Zuverlassigkeitsanspruchen bzw. erhohten Anforderungen q Alarm- und Sicherungssysteme q IR Freiraumubertragung
i i
Applications
q High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
q Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
q Low power consumption (battery) equipment q Suitable for professional and high-reliability
applications q Alarm and safety equipment q IR free air transmission
Typ Type SFH 4290 SFH 4295
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5063 Q62702-P5064
Gehause Package TOPLED SIDELED Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke Cathode marking: bevelled edge
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgroe = 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PCB (FR4), padsize = 16 mm2 Symbol Symbol Top; Tstg Tj VR IF (DC) IFSM Ptot RthJA Wert Value - 40... + 100 100 3 100 2 200 450 Einheit Unit
C C
V mA A mW K/W
Semiconductor Group
2
1998-08-25
SFH 4290 SFH 4295
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area Symbol Symbol peak Wert Value 880 Einheit Unit nm
25
nm
A LxB LxW
60 0.09 0.3 x 0.3 10
Grad deg. mm2 mm ns
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von tr, tf 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Co
35
pF
VF VF IR
1.5 ( 2.0) 3.0 ( 3.8) 0.01 ( 10)
V V A
e
22
mW
TCI
- 0.44
%/K
Semiconductor Group
3
1998-08-25
SFH 4290 SFH 4295
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Lothinweise Soldering conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplotung Dip, wave and drag soldering Lotbadtemperatur Maximal zulassige Lotzeit Max. perm. soldering time 10 s - Abstand Lotstelle - Gehause Distance between solder joint and case - - Reflowlotung Reflow soldering Lotzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit Symbol Ie min Ie typ Ie typ Werte Values 4 7 50 Einheit Unit mW/sr Symbol Symbol TCV TC Wert Value -2 + 0.13 Einheit Unit mV/K nm/K
mW/sr
Temperature of the soldering bath TOPLED SIDELED 260 C -
Temperature of soldering zone 245 C 245 C
Max. transit time
10 s 10 s
Zusatzliche Informationen uber allgemeine Lotbedingungen auf Anfrage. Additional information on generel soldering conditions on request.
Semiconductor Group
4
1998-08-25
SFH 4290 SFH 4295
I
Relative spectral emission Irel = f ()
OHF00366
Radiant intensity
e ---------------- = f (I F) -
Single pulse, tp = 20 s
e (100 mA) 10 1 e 10 2
I e 100mA
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
100 % rel 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 700 750 800 850 900
OHF00363
F mA
100
80
R thjA = 450 K/W
10
0
60
40
10 -1
20
nm
1000
10 -2 -2 10
10 -1
10 0
F
A 10 1
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
Forward current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 s
10 1
OHF00362
Radiation characteristics Irel = f ()
40 30 20 10 0
OHL01660
F A
50
1.0
0.8
10 0
60
0.6
0.4 70
10 -1
80 90
0.2
0
10 -2
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3 VF
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
10 1
OHF00360
F A 5
tp D= tp T T
D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
F
10 0
5
10 -1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
Semiconductor Group
5
1998-08-25

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