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| Datasheet File OCR Text: |
| - - - Strahlungsdetektorchip - - Radiation Detector Chip SFH 870/F170 Technologie q Silizium planar p auf n-Substrat q Substrat: 4600 1400 cm q Metallisierung: Vorderseite: Kontakt Al 1,4 m Abdeckung der Flache Al 0,1 m Ruckseite: Au/As 0,4 m Chipmontage Vorderseite: Ruckseite: Mae q Chipraster: q Chipdicke: q Aktive Flache: q Durchmesser Wafer: q Geometr. mogliche Chipanzahl pro Wafer: Au oder Al Bond Epoxy Leitkleber 6,0 mm x 6,0 mm 381 m 15 m 5,0 mm x 5,0 mm 100 mm 148 Technology q Silicon planar p on n substrate q Substrate: 4600 1400 cm q Metallization: Topside: Contact Al 1.4 m Topside covered by Al 0.1 m Backside: Au/As 0.4 m Chip assembly Topside: Au or Al bonding Backside: epoxy adhesive Dimensions q Chip size: q Chip thickness: q Sensitive area: q Wafer diameter: q Possible amount of chips per wafer by geometry: 6.0 mm x 6.0 mm 381 m 15 m 5.0 mm x 5.0 mm 100 mm 148 Anwendung q Teilchendetektor mit kleinem Dunkelstrom und niedriger Kapazitat (hohes Signal-Rauschverhaltnis) q Hohe Durchbruchspannung ermoglicht Betrieb bei voll ausgeraumtem Chip Application q Particle detector with very low dark current and low capacitance (high signal to noise ratio) q High breakdown voltage permits operation at full depletion Typ Type SFH 870/F170 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P431 Semiconductor Group 493 10.95 - - - Strahlungsdetektorchip - - Radiation Detector Chip SFH 871/F171 Technologie q Silizium planar p auf n-Substrat q Substrat: 4600 1400 cm q Metallisierung: Vorderseite: Kontakt Al 1,4 m Abdeckung der Flache Al 0,1 m Ruckseite: Au/As 0,4 m Chipmontage Vorderseite: Ruckseite: Mae q Chipraster: q Chipdicke: q Aktive Flache: q Durchmesser Wafer: q Geometr. mogliche Chipanzahl pro Wafer: Au oder Al Bond Epoxy Leitkleber 11,0 mm x 11,0 mm 381 m 15 m 10,0 mm x 10,0 mm 100 mm 43 Technology q Silicon planar p on n substrate q Substrate: 4600 1400 cm q Metallization: Topside: Contact Al 1.4 m Topside covered by Al 0.1 m Backside: Au/As 0.4 m Chip assembly Topside: Au or Al bonding Backside: epoxy adhesive Dimensions q Chip size: 11.0 mm x 11.0 mm q Chip thickness: 381 m 15 m q Sensitive area: 10.0 mm x 10.0 mm q Wafer diameter: 100 mm q Possible amount of chips per wafer by geometry: 43 Application q Particle detector with very low dark current and low capacitance (high signal to noise ratio) q High breakdown voltage permits operation at full depletion Anwendung q Teilchendetektor mit kleinem Dunkelstrom und niedriger Kapazitat (hohes Signal-Rauschverhaltnis) q Hohe Durchbruchspannung ermoglicht Betrieb bei voll ausgeraumtem Chip Typ Type SFH 871/F171 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P432 Semiconductor Group 494 10.95 - - - Strahlungsdetektorchip - - Radiation Detector Chip SFH 872/F272 Technologie q Silizium planar p auf n-Substrat q Substrat: 4600 1400 cm q Metallisierung: Vorderseite: Kontakt Al 1,4 m Abdeckung der Flache Al 0,1 m Ruckseite: Au/As 0,4 m Chipmontage Vorderseite: Ruckseite: Mae q Chipraster: q Chipdicke: q Aktive Flache: q Durchmesser Wafer: q Geometr. mogliche Chipanzahl pro Wafer: Au oder Al Bond Epoxy Leitkleber 21,0 mm x 21,0 mm 381 m 15 m 20,0 mm x 20,0 mm 100 mm 9 Technology q Silicon planar p on n substrate q Substrate: 4600 1400 cm q Metallization: Topside: Contact Al 1.4 m Topside covered by Al 0.1 m Backside: Au/As 0.4 m Chip assembly Topside: Au or Al bonding Backside: epoxy adhesive Dimensions q Chip size: 21.0 mm x 21.0 mm q Chip thickness: 381 m 15 m q Sensitive area: 20.0 mm x 20.0 mm q Wafer diameter: 100 mm q Possible amount of chips per wafer by geometry: 9 Application q Particle detector with very low dark current and low capacitance (high signal to noise ratio) q High breakdown voltage permits operation at full depletion Anwendung q Teilchendetektor mit kleinem Dunkelstrom und niedriger Kapazitat (hohes Signal-Rauschverhaltnis) q Hohe Durchbruchspannung ermoglicht Betrieb bei voll ausgeraumtem Chip Typ Type SFH 872/F272 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P433 Semiconductor Group 495 10.95 - - - Strahlungsdetektorchip - - Radiation Detector Chip SFH 873/F273 Technologie q Silizium planar p auf n-Substrat q Substrat: 4600 1400 cm q Metallisierung: Vorderseite: Kontakt Al 1,4 m Abdeckung der Flache Al 0,1 m Ruckseite: Au/As 0,4 m Chipmontage Vorderseite: Ruckseite: Mae q Chipraster: q Chipdicke: q Aktive Flache: q Durchmesser Wafer: q Geometr. mogliche Chipanzahl pro Wafer: Au oder Al Bond Epoxy Leitkleber 31,0 mm x 31,0 mm 381 m 15 m 30,0 mm x 30,0 mm 100 mm 4 Technology q Silicon planar p on n substrate q Substrate: 4600 1400 cm q Metallization: Topside: Contact Al 1.4 m Topside covered by Al 0.1 m Backside: Au/As 0.4 m Chip assembly Topside: Au or Al bonding Backside: epoxy adhesive Dimensions q Chip size: 31.0 mm x 31.0 mm q Chip thickness: 381 m 15 m q Sensitive area: 30.0 mm x 30.0 mm q Wafer diameter: 100 mm q Possible amount of chips per wafer by geometry: 4 Application q Particle detector with very low dark current and low capacitance (high signal to noise ratio) q High breakdown voltage permits operation at full depletion Anwendung q Teilchendetektor mit kleinem Dunkelstrom und niedriger Kapazitat (hohes Signal-Rauschverhaltnis) q Hohe Durchbruchspannung ermoglicht Betrieb bei voll ausgeraumtem Chip Typ Type SFH 873/F273 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P434 Semiconductor Group 496 10.95 |
Price & Availability of SFH870
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