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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
2.84 2.24
SFH 405
2.7 2.5
2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405)
1.15 0.90
1)
0.5 0.4
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlassigkeit q Hohe Strahlstarke q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehausegleich mit SFH 305 Anwendungen
q Miniaturlichtschranken fur Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High radiant intensity q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 305 Applications
q q q q
Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" Typ Type SFH 405 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P835
Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive ciruits
Gehause Package Miniatur-Leiterbandgehause, klares Epoxy-Gieharz, linsenformig, Anschlu im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: abgeschragte Anschlusse Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: bevelled leads
Semiconductor Group
1
1997-11-01
feo06317
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
3.5 3.0
0...5
3.6 3.2 3.0 2.5
SFH 405
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 40 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 40 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 80 80 5 40 1.6 65 950 850 Einheit Unit C C V mA A mW K/W K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJL
55
nm
16 0.25 0.5 x 0.5 1.3 ... 1.9
Grad deg. mm2 mm mm
A LxB LxW H
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 405
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 40 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 40 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 40 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 40 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 40 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 40 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 40 mA Temperature coefficient of VF, IF = 40 mA Temperaturkoeffizient von peak, IF = 40 mA Temperature coefficient of peak, IF = 40 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit s
tr, tf
Co
40
pF
VF IR
1.25 ( 1.4) 0.01 ( 1)
V A
e
7
mW
TCI
- 0.55
%/K
TCV TC
- 1.5 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 40 mA, tp = 20 ms Symbol Werte Values Einheit Unit
Ie
2.5 ( 1.6)
mW/sr
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 405
Relative spectral emission Irel = f ()
100 %
OHRD1938
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR01039
Single pulse, tp = 20 s
e
10 2
Max. permissible forward current IF = f (TA)
50
OHR00672
rel
e (100 mA)
F mA
40
80
10 1
60
30
40
20
10 0
R thJA = 950 K/W
R thJL = 850 K/W
20
10
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -1 10 -2
10 -1
10 0
A F
10 1
0
0
20
40
60
80 C 100 TA, TL
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1 A
OHR01042
Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter
10 1
OHR02183
F
F
A
10 0
typ.
D = 0,005 0,01 0,02
10 0 0,05 0,1 0,2
D= T T
F
max.
10 -1
10 -1 0,5 DC
10 -2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5 VF
20
10 -2 -5 10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Radiation characteristics Irel = f ()
40 30 10 0 1.0
OHR01886
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01

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