FE1a ... FE1g FE1a ... FE1g superfast switching silicon-rectifiers superschnelle silizium-gleichrichter version 2005-11-08 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 1 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...400 v plastic case kunststoffgeh?use do-15 (do-204ac) weight approx. gewicht ca. 0.4 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] forward voltage durchlass-spannung v f at/bei i f = 1 a FE1a 50 50 < 0.95 FE1b 100 100 < 0.95 FE1d 200 200 < 0.95 FE1f 300 300 < 0.95 FE1g 400 400 < 1.25 max. average forward re ctified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 75c i fav 1 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 10 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 30/33 a rating for fusing, t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t4.5 a 2 s junction temperature ? sperrschichttemperatur storage temperature ? lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag ty pe ? 0.05 0.8 ? 0.05 3 62.5 0.5 6.3 0.1
FE1a ... FE1g characteristics kennwerte leakage current ? sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 2 a reverse recovery time sperrverzug i f = 0.5 a through/ber i r = 1 a to i r = 0.25 a t rr < 50 ns thermal resistance junction to ambient air w?rmewiderstand sperrschicht ? umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) thermal resistance junction to lead w?rmewiderstand sperrschicht ? anschlussdraht r thl < 15 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 125c j t = 25c j FE1g FE1a... FE1f 30a-(1a-0.95/1.25v)
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