spl 2yxx laserdiode im to-220 geh?use 1.5 w cw laser diode in to-220 package 1.5 w cw 2000-01-01 1 opto semiconductors besondere merkmale ? effiziente strahlungsquelle fr dauerstrich- und gepulstem betriebsmodus ? zuverl?ssige inga(al)as kompressiv verspannte quantenfilm-struktur ? kleines to-220 geh?use mit effizienter thermischer kopplung ? integrierter thermistor erm?glicht wellenl?ngensteuerung ber die temperatur ? austritts?ffnung 200 m m ? zylinderlinse zur korrektur der vertikalen achse anwendungen ? pumpen von festk?rperlasern (nd: yag, yb: yag, ) ? medizinische und zahnmedizinische anwendungen ? l?ten, erw?rmen, beleuchten ? freiraum-datenbertragung ? energiebertragung ? test- und messsysteme sicherheitshinweise je nach betriebsart emittieren diese bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare infrarot- strahlung, die gef?hrlich fr das menschliche auge sein kann. produkte, die diese bauteile enthalten, mssen gem?? den sicherheits- richtlinien der iec-norm 60825-1 behandelt werden. features ? efficient radiation source for cw and pulsed operation ? reliable inga(al)as strained layer quantum-well structure ? small to-220 package with efficient thermal coupling ? included thermistor allows wavelength control by temperature ? laser aperture 200 m m ? cylindrical correction for a near circular far-field pattern applications ? pumping of solid state lasers (nd: yag, yb: yag, ) ? medical and dental applications ? soldering, heating, illumination ? free space data transmission ? energy transmission ? testing and measuring applications safety advices depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in iec 60825-1 safety of laser products.
2000-01-01 2 opto semiconductors spl 2yxx typ type wellenl?nge wavelength 1) bestellnummer ordering code spl 2y81 808 nm q62702-p367 spl 2y85 850 nm q62702-p1728 spl 2y94 940 nm q62702-p1630 spl 2y98 975 nm on request 1) andere wellenl?ngen im bereich von 780 nm 980 nm sind auf anfrage erh?ltlich. other wavelengths in the range of 780 nm 980 nm are available on request. grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert values einheit unit min. max. ausgangsleistung (dauerstrichbetrieb) 1) output power (continuous wave) 1) 1) zur leistungsmessung wird die gesamte lichtleistung in eine ulbrichtkugel eingekoppelt. optical power is measured by coupling into an integrating sphere. p cw C 1.5 w ausgangsleistung (quasi-dauerstrichbetrieb) 1) ( t p 150 m s, tastverh?ltnis 1%) output power (quasi-continuous wave) 1) ( t p 150 m s, duty cycle 1%) p qcw C 2.0 w sperrspannung reverse voltage v r C3v betriebstemperatur operating temperature t op C 10 + 60 c lagertemperatur storage temperature t stg C 40 + 85 c l?ttemperatur an den anschlssen, max. 5s soldering temperature at the pins, max . 5s t s C 250 c
spl 2yxx 2000-01-01 3 opto semiconductors diodenkennwerte ( t a = 25 c) diode characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert values einheit unit min. typ. max. zentrale emissionswellenl?nge 1) emission wavelength 1) l peak 805 808 811 nm 840 850 860 930 940 950 970 975 980 spektrale breite (halbwertsbreite) 1) spectral width (fwhm) 1) dl C3Cnm opt. ausgangsleistung im betriebspunkt output power p op C1.5Cw differentielle effizienz 808 nm h 0.90 1.10 1.3 w/a differential efficiency 850 nm 0.85 1.00 1.3 940 nm 0.75 0.90 1.1 975 nm 0.75 0.90 1.1 schwellstrom 808 nm i th 0.50 0.70 0.85 a threshold current 850 nm 0.50 0.65 0.80 940 nm 0.30 0.45 0.60 975 nm 0.30 0.40 0.55 betriebsstrom 1) operating current 1) i op 1.80 2.10 2.60 a betriebsspannung 1)2) operating voltage 1)2) v op C1.85Cv differentieller serienwiderstand differential series resistance r s C0.150.4 w strahldivergenz (halbwertsbreite) beam divergence (fwhm) q || q ^ C10 10 C grad deg. charakteristische temperatur (schwelle) 3) characteristic temperature (threshold) 3) t 0 C150Ck temperaturkoeffizient des betriebsstroms temperature coefficient of operating current ? i op / i op ? t C0.5C%/k temperaturkoeffizient der wellenl?nge 4) temperature coefficient of wavelength 4) ?l / ? t C0.3Cnm/k
2000-01-01 4 opto semiconductors spl 2yxx ntc thermistor r t = r 0 exp ( b (1/ t C 1/ t 0 )) r 0 = 10 k w 1%, t 0 = 25 c = 298 k, b = 3730 k thermischer widerstand (pn-bergang ? w?rmesenke) thermal resistance (junction ? heat sink) r th ja C10Ck/w 1) standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf 1,5 w cw optische ausgangsleistung. standard operating conditions refer to 1.5 w cw optical output power. 2) abh?ngig von der emissionswellenl?nge. depending on emission wavelength. 3) modelle zur bestimmung des thermischen verhaltens bzgl. des schwellstroms: i th ( t 2 ) = i th ( t 1 ) exp ( t 2 C t 1 )/ t 0 model for the thermal behavior of threshold current: i th ( t 2 ) = i th ( t 1 ) exp ( t 2 C t 1 )/ t 0 4) optische leistungen werden mit einer ulbrichtkugel gemessen. optical power measurements refer to an integrating sphere. diodenkennwerte ( t a = 25 c) diode characteristics (contd) bezeichnung parameter symbol symbol wert values einheit unit min. typ. max.
spl 2yxx 2000-01-01 5 opto semiconductors optische kennwerte (laser kennwerte sind fr alle wellenl?ngen ?hnlich, parameter werden vorn detaillierter aufgefhrt). optical output power p opt vs. forward current i f ( t a = 25 c) spl 2y81 optical characteristics (laser characteristics are similar for all wavelength, parameters are listed on previous page in detail). optical spectrum, relative intensity i rel vs. wavelength l ( t a = 25 c, p opt = 1.5 w) spl 2y81 ohw00899 0 0 opt p f i 0.5 1 1.5 2 2.5 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 w a ohw00898 0 790 l 800 810 820 830 nm 0.25 0.5 0.75 1 % i rel
spl 2yxx 2000-01-01 6 opto semiconductors farfield distribution parallel to junction i rel vs. q || farfield distribution perpendicular to junction i rel vs. q ^ q ohw02170 0 rel i 20 40 60 80 100 -25 deg. il % -15 -5 5 15 25 q ohw02171 0 rel i 20 40 60 80 100 -25 deg. % -15 -5 5 15 25
spl 2yxx 2000-01-01 7 opto semiconductors ma?zeichnung package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). alle laser werden vorgetestet und gem?? den gemessenen kennwerten ausgeliefert. bezglich sicherheit, verpackung, behandlung, montage und betriebsbedingungen lesen sie bitte sorgf?ltig unsere ?notes for operation i . mechanische montage befestigungsloch (geeignet fr m 2.5). durch die gute w?remeleitf?higkeit der to-220 bodenplatte (kupfer) wird die w?rme auch bei befestigung an nur einer seite gut abgeleitet. zur exakten positionierung des geh?uses und anderer teile, z.b. linsen, kann das to-220-geh?use mit entsprechenden klemmen oder schrauben (max. m 2.5) befestigt werden. all devices are pretested and will be delivered including measured laser characteristics. for safety, unpacking, handling, mounting, and operating issues, please read carefully our notes for operation i . mechanical attachment mounting hole (suitable for m 2.5) because of the good thermal conductivity of the to 220 base plate (copper) the heat loss is properly dissipated even if the component is attached on one side only. for exact positioning of the to component and other parts, e.g. lenses, the to 220 package can be attached with appropriate clamping devices or screws (max. m 2.5). 16.7 14.0 2.8 10.8 1.0 5.5 gto06603 1 2 3 case anode ntc ntc laserdiode cathode 2 x 2.54 123 2.75 ?0.7 3.0 10.4 10.8 2.45 16.3 12.4 3.2 10.4 4.9 0.6 ?0.5 2.6 0.2
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