MPSA42 | mpsa44 MPSA42 | mpsa44 high voltage npn transistors hochspannungs-npn-transistoren i c = 500 | 300 ma h fe1 > 40 t jmax = 150c v ceo = 300 | 400 v p tot = 625 mw version 2017-12-07 to-92 (10d3) (1) (2) dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken standardausfhrung 1 ) features high collector voltage compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten hohe kollektorspannung konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) (1) taped in ammo pack (raster 2.54) (2) on request: in bulk (raster 1.27, suffix bk) 4000 5000 (1) gegurtet in ammo-pack (raster 2.54) (2) auf anfrage: schttgut (raster 1.27, suffix bk) weight approx. 0.18 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl n/a recommended complementary pnp transistors empfohlene komplement?re pnp-transistoren mpsa92 C maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) MPSA42 mpsa44 collector-emitter-voltage - kollektor-emitter-spannung b open v ceo 300 v 400 v collector-base-voltage - kollektor-basis-spannung e open v cbo 300 v 500 v emitter-base-voltage - emitter-basis-spannung c open v ebo 6 v power dissipation C verlustleistung p tot 625 mw 3 ) collector current C kollektorstrom dc i c 500 ma 300 ma base current C basisstrom i b 100 ma C junction temperature C sperrschichttemperatur t j -55...+150c characteristics kennwerte t j = 25c MPSA42 mpsa44 collector-base cutoff current C kollektorreststrom i e = 0 v cb = 200 v v cb = 400 v i cbo < 100 na C C < 100 na emitter-base cutoff current C emitterreststrom i b = 0 v eb = 6 v v eb = 4 v i ebo < 100 na C C < 100 na 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c, unless otherwise specified C t a = 25c, wenn nicht anders angegeben 3 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2 x 1 . 2 7 e b c 4.6 0.1 4 . 6 0 . 1 m i n 1 2 . 5 1 6 2 3 . 5 1 8 9 2 x 2 . 5 4 e b c pb e l v w e e e r o h s
MPSA42 | mpsa44 characteristics kennwerte t j = 25c MPSA42 mpsa44 collector saturation voltage C kollektor-s?ttigungsspannung 1 ) i c = 1 ma i b = 0.1 ma i c = 10 ma i b = 1 ma i c = 20 ma i b = 2 ma i c = 50 ma i b = 5 ma v cesat C C < 500 mv C < 400 mv < 500 mv C < 750 mv base saturation voltage C basis-s?ttigungsspannung 1 ) i c = 20 ma i b = 2 ma i c = 10 ma i b = 1 ma v besat < 900 mv C C < 750 mv dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis v ce = 10 v i c = 1 ma i c = 10 ma i c = 10 ma i c = 30 ma i c = 50 ma i c = 100 ma h fe > 25 > 40 C > 40 C C > 40 > 50 typ. 200 C > 45 > 40 gain-bandwidth product C transitfrequenz v ce = 20 v, i c = 10 ma, f = 100 mhz f t > 50 mhz C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t v cb = 20 v, i e = i e = 0, f = 1 mhz c cbo < 3 pf < 7 pf thermal resistance junction C ambient w?rme widerstand sperrschicht C umgebung r tha < 200 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen tp = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1
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