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FFV36AK 20N36 RF2105 RAPH2SG 08100 FCX61903 6EJMS1 60040215
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  1 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces  1200  v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c  25 39  a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm  50  a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175 p tot  175  w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage  v ges  +/-20  v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,80 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g  0,20  c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint  0,0  w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies  1,45  nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res  0,05  nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces   1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges   400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 20 w t d on  0,026 0,026 0,026  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 20 w t r  0,016 0,02 0,021  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 20 w t d off  0,19 0,28 0,30  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 20 w t f  0,18 0,21 0,22  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = 35 nh v ge = 15 v, di/dt = 1700 a/s (t vj = 150c) r gon = 20 w e on  1,60 2,40 2,60  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = 35 nh v ge = 15 v, du/dt = 3600 v/s (t vj = 150c) r goff = 20 w e off  1,45 2,15 2,35  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc  90  a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc  0,75 0,85 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,70 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c
2 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm  1200  v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent  i f  25  a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm  50  a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t  90,0 75,0  a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 25 a, - di f /dt = 1700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm  48,0 50,0 52,0  a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 25 a, - di f /dt = 1700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r  2,50 4,40 4,90  c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 25 a, - di f /dt = 1700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec  0,95 1,75 2,05  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc  1,10 1,20 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,90 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm  1600  v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t c = 100c i frmsm  60  a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t c = 100c i rmsm  60  a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm  450 370  a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t  1000 685  a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 25 a v f  0,90  v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r  1,00  ma w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc  1,05 1,15 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,95 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op    c
3 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces  1200  v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c  25 39  a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm  50  a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175 p tot  175  w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage  v ges  +/-20  v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,80 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g  0,20  c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint  0,0  w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies  1,45  nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res  0,05  nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces   1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges   400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 68 w t d on  0,08 0,08 0,08  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 68 w t r  0,042 0,051 0,053  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 68 w t d off  0,34 0,44 0,46  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 68 w t f  0,18 0,215 0,225  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = t.b.d. nh v ge = 15 v r gon = 68 w e on  3,90 5,00 5,40  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = t.b.d. nh v ge = 15 v r goff = 68 w e off  1,50 2,20 2,40  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc  90  a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc  0,75 0,85 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,70 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c
4 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm  1200  v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent  i f  10  a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm  20  a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t  16,0 14,0  a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v i rm  12,0 10,0 8,00  a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v q r  0,90 1,70 1,90  c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v e rec  0,24 0,52 0,59  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc  1,75 1,90 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  1,30 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25  5,00  k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5  5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25   20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50  3375  k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80  3411  k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100  3433  k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
5 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol  2,5  kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140)   ai 2 o 3   kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal   11,5 6,3  mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal   10,0 5,0  mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex  cti  > 200   min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule  l sce  30  nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc'  5,00 6,00  m w lagertemperatur storagetemperature  t stg -40  125 c anpresskraft fr mech. bef. pro feder mountig force per clamp  f 40 - 80 n gewicht weight  g  39  g der strom im dauerbetrieb ist auf 30a effektiv pro anschlusspin begrenzt. the current under continuous operation is limited to 30a rms per connector pin.
6 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =20 w ,r goff =20 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 10 20 30 40 50 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c
7 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =25a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,084 0,0005 2 0,195 0,005 3 0,587 0,05 4 0,585 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =20 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
8 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =20 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =25a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,166 0,0005 2 0,359 0,005 3 0,821 0,05 4 0,654 0,2 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 150c
9 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
10 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j i n f in e o n
11 technischeinformation/technicalinformation FP25R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen  dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage  thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j i n f in e o n


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